Technológie úložísk pod drobnohľadom: Kam kráča vývoj SSD?

Strana 2/2

Ver­ti­kál­ne „3D" NAND

Na zväč­še­nie ka­pa­ci­ty vý­rob­co­via ne­mu­sia ne­vyh­nut­ne vy­uží­vať len men­ší vý­rob­ný pro­ces. Spo­me­nu­li sme už, že vý­bor­ný „trik" je aj pou­ži­tie pres­né­ho ov­lá­da­nia plá­va­jú­ce­ho hrad­la v rám­ci na­pä­tí, čo umož­ňu­je, že je­den tran­zis­tor ne­rep­re­zen­tu­je iba dva mož­né sta­vy, ale až šty­ri či osem (extrém­ne až 16, čo sa vy­uží­va pri má­lo za­ťa­žo­va­ných a po­mal­ších či­poch NAND flash pre pa­mä­ťo­vé kar­ty a kľú­če USB). A prá­ve po­dob­nú ši­kov­nú zme­nu ma­jú vý­rob­co­via eš­te v ru­ká­ve.

Z hľa­dis­ka návr­hu vý­ro­by však ide o mi­mo­riad­ne ná­roč­nú úlo­hu, kto­rá ce­lý pro­ces vý­raz­ne me­ní. Ide o tech­no­ló­giu všeo­bec­ne ozna­čo­va­nú ako 3D NAND. Slo­víč­ko 3D na nás v pos­led­ných ro­koch vy­ku­ku­je tak­mer od­vša­diaľ a tre­ba po­ve­dať, že v tom­to prí­pa­de ide o tro­chu čud­né, ba až mar­ke­tin­go­vo pô­so­bia­ce ozna­če­nie. Vy­vo­lá­va to­tiž do­jem, ako­by tran­zis­tor me­nil svoj tvar z ne­ja­kej plac­ky na koc­ku, čo ne­má s reali­tou nič spo­loč­né. Ove­ľa vhod­nej­šie je po­me­no­va­nie V-NAND, te­da ver­ti­kál­ne NAND, kto­ré vo svo­jich ma­te­riá­loch za­čal pou­ží­vať Sam­sung. Zvis­lá konštruk­cia pr­vkov je ten roz­diel, kto­rý tú­to tech­no­ló­giu od­li­šu­je od pre­doš­lej. Tran­zis­to­ry to­tiž nie sú o nič viac 3D než tran­zis­to­ry pred­chá­dza­jú­cej tech­no­ló­gie. Ko­niec kon­cov by bo­lo hlú­pe ozna­čiť sa za 3D člo­ve­ka v mo­men­te, keď si inú oso­bu vy­sa­dí­te na ple­cia.

Naj­jed­no­duch­šie sa dá ten­to pro­ces opí­sať tak, že na­mies­to to­ho, aby bo­li tran­zis­to­ry na či­pe umies­tne­né vo­do­rov­ne ako roz­pres­tre­tá plach­ta, pos­ta­via sa ved­ľa se­ba ver­ti­kál­ne do jed­not­li­vých stĺpcov (poz­ri ob­rá­zok). Svo­ju pred­sta­vu však skrat­ko­vi­to nez­jed­no­du­šuj­te. Mno­hých ľu­dí to­tiž lá­ka po­ve­dať, že tran­zis­to­ry sa na se­ba ne­ja­ko len vrstvia a vlas­tne ide len o dva či viac či­pov na­le­pe­ných na se­be. To je, sa­moz­rej­me, úpl­ný nez­my­sel.

Vy­tvo­re­nie dvoch či­pov s plo­chý­mi tran­zis­tor­mi a ich umies­tne­nie do jed­né­ho puz­dra nad se­ba by žiad­ny osoh nep­ri­nie­slo. Vý­rob­ca by to­tiž pri ňom nič neu­šet­ril. Disk SSD s ka­pa­ci­tou 100 GB a dva­nás­ti­mi 8 GB čip­mi v út­ro­bách by tak stál rov­na­ko ako 100 GB disk so šies­ti­mi 16 GB čip­mi. Do­sa­ho­val by pri­tom rov­na­ký vý­kon a mal by aj rov­na­kú spot­re­bu. Zvy­šo­va­nie ka­pa­ci­ty ta­kým­to spô­so­bom by žiad­ny pok­rok nep­ri­nie­slo. Jed­no­du­cho by sa do dis­ku osa­di­la po­lo­vi­ca či­pov za dvoj­ná­sob­nú ce­nu a všet­ko by zos­ta­lo pri sta­rom.

To, čo vý­rob­ca chce, je vy­rá­bať viac tran­zis­to­rov na jed­nom wafe­ri za po­kiaľ mož­no rov­na­kú ce­nu, ako vy­rá­bal v mi­nu­los­ti kla­sic­ké pla­nár­ne NAND flash. A to je po­riad­ny prob­lém. Pro­ces fo­to­li­tog­ra­fie, pri kto­rom sa la­se­ro­vým lú­čom na wafe­ri tvo­ria vo­do­rov­né pr­vky, sa to­tiž vzdia­le­ne po­do­bá vy­ra­ze­niu pe­čiat­ky do vos­ku či plas­te­lí­ny. Ak pe­čiat­kou udrie­te do ta­kej­to hmo­ty, vy­tvo­rí­te pek­ný 3D od­tla­čok. Pred­stav­te si nap­rík­lad, že vy­ra­zí­te 3D ná­pis PC RE­VUE, kto­rý by bol tvo­re­ný hl­bo­ký­mi pís­me­na­mi oh­ra­ni­če­ný­mi kru­hom. Ako by ste však ten­to ná­pis vy­tvo­ri­li ver­ti­kál­ne na ste­nu di­ery? Ke­by ste vy­tvo­ri­li pe­čiat­ku v tva­re val­če­ka, kto­rý by mal na bo­ku vy­stu­pu­jú­ci ná­pis, po vra­ze­ní do vos­ku by ste vy­tvo­ri­li len hl­bo­kú di­eru so zvis­lý­mi pruh­mi. Rie­še­ním by bo­lo vy­tvo­re­nie hl­bo­kej di­ery, do kto­rej by ste sa mi­nia­túr­nou pe­čiat­kou vop­cha­li dnu a ná­pis na jej ste­nu by ste vy­tla­či­li zbo­ku. Pri fo­to­li­tog­ra­fii by ste však v na­no­met­ro­vých di­er­kach ne­ma­li ako la­se­ro­vý lúč za­lo­miť.

Vertikalne NAND.png

Nák­res ver­ti­kál­ne­ho NAND flash spo­loč­ne s elek­tric­kou sché­mou stĺpca a reál­ny poh­ľad z elek­tró­no­vé­ho mik­ros­ko­pu na pro­duk­ty SK Hy­nix a Sam­sung

Čo je to te­da vlas­tne 3D NAND a ako ho vý­rob­co­via ro­bia? S kon­cep­tom priš­la v ro­ku 2007 ako pr­vá spo­loč­nosť Tos­hi­ba, iš­lo o od­po­veď na stá­le kom­pli­ko­va­nej­šie zmen­šo­va­nie jed­not­li­vých pa­mä­ťo­vých bu­niek (kto­ré sú rep­re­zen­to­va­né tran­zis­tor­mi). Na očís­lo­va­nom sche­ma­tic­kom nák­re­se mô­že­te vi­dieť, ako je ver­ti­kál­na pa­mäť NAND v sku­toč­nos­ti us­po­ria­da­ná. Bež­né pla­nár­ne NAND sú tvo­re­né jed­ným ra­dom 32 tran­zis­to­rov, kto­ré sa de­lia o spo­loč­né elek­tró­dy. Na­mies­to stá­le prob­le­ma­tic­ké­ho zmen­še­nia tran­zis­to­rov si pred­stav­te, že sa pá­sik tran­zis­to­rov roz­de­lí na po­lo­vi­cu, oh­ne a pos­ta­ví. Vý­sled­kom je, že sme po­ne­cha­li za­po­je­né všet­ky tran­zis­to­ry, ale z hľa­dis­ka ploš­né­ho ob­sa­de­nia za­be­ra­jú len zlo­mok mies­ta ako pred­tým.

Pres­nej­šie po­ve­da­né, pri ra­de 32 tran­zis­to­rov, roz­de­le­nom na dva zvis­lé prúž­ky, by tran­zis­to­ry z hľa­dis­ka dĺžky za­be­ra­li len štvr­ti­nu mies­ta. Na štvor­co­vej plo­che to zna­me­ná, že ste ušet­ri­li 93 % ob­sa­hu. (Pred­stav­te si ša­chov­ni­cu 4 × 4, tvo­re­nú 16 po­ľa­mi. Ak skrá­ti­te jej roz­mer na štvr­ti­nu z oboch strán, zos­ta­ne vám je­di­né­ho po­le. Pät­násť po­lí ste tým zra­zu vy­ma­za­li.) To je roz­diel do­siah­nu­tý pri šty­roch až pia­tich ge­ne­rá­ciách zmen­šo­va­nia. Ob­rá­zok slú­ži na ilus­trá­ciu to­ho, že tran­zis­to­ry sa prin­ci­piál­ne ne­me­nia a stá­le sú vzhľa­dom na svo­jich su­se­dov umies­tne­né rov­na­ko. Nes­to­ja si te­da vzá­jom­ne „na hla­vách" a sú oto­če­né s ce­lým svo­jím pod­kla­dom. Všim­ni­te si pri­tom, že na konštruk­cii v tva­re pís­me­na U sú tran­zis­to­ry umies­tne­né na von­kaj­šej hra­ne.

Pro­ces vý­ro­by tej­to konštruk­cie, sa­moz­rej­me, nep­re­bie­ha skla­da­ním a zdví­ha­ním, ale vy­tvá­ra­ním ša­chiet vo wafe­ri (k čo­mu sa hneď dos­ta­ne­me). Naj­dô­le­ži­tej­šie však je uve­do­miť si, že cel­ko­vá kon­cep­cia ver­ti­kál­nych NAND okam­ži­te ube­rá na dô­le­ži­tos­ti stá­le pok­ra­ču­jú­ce­mu zmen­šo­va­niu tran­zis­to­rov. Na­mies­to hon­by za men­ším vý­rob­ným pro­ce­som, kto­rý spô­so­bu­je čo­raz viac prob­lé­mov, sa mô­žu vý­rob­co­via po nie­koľ­ko ge­ne­rá­cií či­pov NAND flash sús­tre­diť na to, ako dos­tať viac tran­zis­to­rov na je­den ver­ti­kál­ny pr­vok.

Už pri pos­ta­ve­ní dvoch ra­dov 16 tran­zis­to­rov (32-tran­zis­to­ro­vý blok) do­siah­nu z hľa­dis­ka ob­je­mu pok­rok, kto­rý sa rov­ná sko­ku z 20 na 5 nm pro­ces pri vo­do­rov­nom zmen­šo­va­ní. Vý­rob­co­via pri­tom uva­žu­jú, že by moh­lo byť tech­no­lo­gic­ky mož­né do­sa­ho­vať vý­šku 128 tran­zis­to­rov a mož­no aj viac. Sku­toč­né čís­lo však dnes nik­to ne­poz­ná a vý­skum v tej­to ob­las­ti je tak­po­ve­diac eš­te v plien­kach. Kaž­do­pád­ne však tie­to me­tó­dy ot­vá­ra­jú pries­tor pre ka­pa­ci­ty, kto­ré ma­sív­ne prek­ra­ču­jú aké­koľ­vek mož­nos­ti kre­mí­ko­vých pla­nár­nych NAND, a to aj ke­by sa ne­ja­kým zá­zra­kom dos­ta­li pod hra­ni­cu 7 nm (2 nm tran­zis­tor ob­sa­hu­je už len šty­ri kre­mí­ko­vé ató­my). Po hro­mad­nom nás­tu­pe ver­ti­kál­nych NAND flash tak mô­že sna­ha o zmen­šo­va­nie vý­rob­né­ho pro­ce­su v rám­ci úlo­žísk vý­raz­ne po­ľa­viť.

Vý­ro­ba ver­ti­kál­nych NAND

Vý­ro­ba ver­ti­kál­nych NAND je zlo­ži­tý a no­vá­tor­ský pro­ces, ku kto­ré­mu jed­not­li­ví vý­rob­co­via pris­tu­pu­jú s rôz­ny­mi špe­ci­fic­ký­mi od­liš­nos­ťa­mi. My sa bu­de­me ve­no­vať pro­ce­su, kto­rý pou­ží­va Sam­sung, pre­to­že tá­to spo­loč­nosť ako pr­vá (a dod­nes je­di­ná) uvied­la na trh ko­mer­čné pro­duk­ty (ur­če­né pre pod­ni­ko­vú sfé­ru). Pou­ží­va pa­mä­ťo­vé bun­ky TA­NOS, čo je skrat­ka, kto­rá vy­chá­dza z mien ma­te­riá­lov pou­ži­tých na vý­ro­bu: Tan­ta­lum-Alu­mi­na-Nit­ri­de-Oxide-Si­li­con. Pro­ces vý­ro­by sa za­čí­na na­ná­ša­ním che­mic­kých vrs­tiev na kre­mí­ko­vý wafer (na vi­zua­li­zá­ciu sle­duj­te ob­rá­zok po­zos­tá­va­jú­ci z jed­not­li­vých kro­kov), pri­čom sa strie­da­jú vrstvy nit­ri­du kre­mi­či­té­ho a oxidu kre­mi­či­té­ho (krok A).

Po­čet tých­to vrs­tiev ur­čí po­čet bu­dú­cich tran­zis­to­rov v stĺpci, ale nit­rid kre­mi­či­tý pl­ní len fun­kciu do­čas­né­ho pod­por­né­ho ma­te­riá­lu. Sam­sung ten­to pos­tup na­zý­va náh­ra­dou hrad­la. Po do­kon­če­ní všet­kých vrs­tiev sa do ma­te­riá­lu vy­pá­lia šach­ty (krok B), kto­rých ste­ny sa oba­lia po­lyk­ryš­ta­lic­kým kre­mí­kom (krok C). Tá­to kre­mí­ko­vá vrstva sa sta­ne no­si­čom bu­dú­ce­ho ver­ti­kál­ne­ho blo­ku tran­zis­to­rov, tak­že sa na jej spev­ne­nie za­le­je zvy­šok šach­ty oxidom kre­mi­či­tým (krok D). Nás­led­ne sa po bo­koch nos­nej konštruk­cie vy­pá­lia ďal­šie šach­ty (krok E), kto­ré bu­dú slú­žiť na úp­ra­vu vrs­tiev a nes­kôr ako od­de­ľo­vač jed­not­li­vých blo­kov, res­pek­tí­ve stĺpcov z tran­zis­to­rov. Na ilus­trá­ciu ich naz­vi­me ob­služ­né šach­ty.

Cez ob­služ­né šach­ty sa do wafe­ra na­ne­sie čis­tia­ca che­mi­ká­lia, kto­rá vy­lep­tá vrstvy nit­ri­du kre­mi­či­té­ho (krok F). Vý­sled­kom sú zu­by z oxidu kre­mi­či­té­ho (mod­rá far­ba), kto­ré dr­žia bo­kom pril­epe­né na zvis­lom nos­ní­ku z po­lyk­ryš­ta­lic­ké­ho kre­mí­ka (čer­ve­ná far­ba). Po bo­koch ob­ráz­kae vi­dieť kon­ce zu­bov, kto­ré dr­žia na ne­zob­ra­ze­ných su­sed­ných nos­ní­koch rov­na­ké­ho tva­ru. Ob­služ­ná šach­ta je ďa­lej pou­ži­tá na za­rov­na­nie ce­lej konštruk­cie z oxidu kre­mi­či­té­ho (krok G), kto­rý bu­de slú­žiť ako di­elek­tri­kum pri pro­ce­se tu­ne­lo­va­nia elek­tró­nov.

Tým je ho­to­vý spo­dok tran­zis­to­rov. V nas­le­du­jú­com kro­ku by bo­lo lo­gic­ké vy­tvo­riť plá­va­jú­ce hrad­lo, kto­ré slú­ži na ulo­že­nie elek­tró­nov, a te­da aj dá­to­vej hod­no­ty. V prí­pa­de zvis­lých NAND je však nah­ra­de­né špe­ciál­nym pr­vkom, ozna­čo­va­ným ako ná­bo­jo­vá pas­ca (char­ge trap). Tá je vy­tvo­re­ná z ten­kej vrstvy nit­ri­du kre­mi­či­té­ho (krok H), kto­rý je nás­led­ne pok­ry­tý ma­te­riá­lom s veľ­mi vy­so­kou di­elek­tric­kou kon­štan­tou (krok I). Tie­to ma­te­riá­ly sa ozna­ču­jú všeo­bec­ným prív­las­tkom high-k (high-k di­elek­tri­kum), pri­čom v tom­to prí­pa­de ide o oxid hli­ni­tý. To­to di­elek­tri­kum slú­ži ako od­de­ľo­vač me­dzi ná­bo­jo­vou pas­cou a ria­dia­cim hrad­lom navr­chu tran­zis­to­ra.

Ria­dia­ce hrad­lo sa vy­tvo­rí v nas­le­du­jú­com kro­ku J z nit­ri­du tan­ta­lu. Šach­ta sa nás­led­ne lep­ta­ním vy­čis­tí od pre­by­toč­né­ho ma­te­riá­lu tan­ta­lu a di­elek­tri­ka (krok K), čím sa do­kon­čí stĺpec NAND flash zlo­že­ný zo zvis­lých tran­zis­to­rov. Kaž­dý z nich je pri­tom tvo­re­ný ria­dia­cim hrad­lom (si­vá far­ba), izo­lá­to­rom (ze­le­ná), ná­bo­jo­vej pas­ce (žl­tá), spod­né­ho oxidu kre­mí­ka na od­ov­zdá­va­nie elek­tró­nov (mod­rá) a nos­né­ho kryš­ta­lic­ké­ho kre­mí­ka (čer­ve­ná).

Vyroba.png

Pro­ces vý­ro­by ver­ti­kál­nych NAND od Sam­sun­gu

Ná­bo­jo­vá pas­ca ako náh­ra­da za plá­va­jú­ce hrad­lá

Vý­znam­ná zme­na v konštruk­cii tran­zis­to­rov je pou­ži­tie ná­bo­jo­vej pas­ce na­mies­to plá­va­jú­ce­ho hrad­la. Ako sme už spo­me­nu­li, s čo­raz niž­ším vý­rob­ným pro­ce­som sa stá­le zmen­šu­jú­ce sa plá­va­jú­ce hrad­lo stá­va veľ­mi prob­le­ma­tic­kým, pre­to­že do­chá­dza k pá­ro­va­niu blíz­ko se­ba sto­ja­cich tran­zis­to­rov. Pri kaž­dom zmen­še­ní pro­ce­su zá­ro­veň do­chá­dza aj k stá­le väč­šie­mu úbyt­ku elek­tró­nov, kto­ré hrad­lo ob­sa­hu­je pri na­bi­tí, čím je čí­ta­nie mno­hos­ta­vo­vých pa­mä­ťo­vých bu­niek čo­raz ná­chyl­nej­šie na chy­by.

Nap­ro­ti to­mu ná­bo­jo­vá pas­ca únik­mi a pá­ro­va­ním netr­pí. Kým plá­va­jú­ce hrad­lo po­zos­tá­va z vo­di­vé­ho ma­te­riá­lu, kto­rý je oba­le­ný sil­ným izo­lá­to­rom (pod vply­vom pri­ve­de­né­ho na­pä­tia sa elek­tró­ny tu­ne­lo­va­ním dos­tá­va­jú za izo­lač­nú pre­káž­ku a po vy­pnu­tí ob­vo­du tak zos­ta­nú uväz­ne­né vo vo­di­vom cen­tre), ná­bo­jo­vá pas­ca je tvo­re­ná izo­lá­to­rom. V prí­pa­de Sam­sun­gu ide o nit­rid kre­mi­či­tý, pri­čom pri pro­ce­se zá­pi­su pod sil­ným na­pä­tím elek­tró­ny „pre­ra­zia" je­ho od­po­ro­vú ba­rié­ru a zos­ta­nú v ňom uväz­ne­né. Na roz­diel od vo­di­vé­ho plá­va­jú­ce­ho hrad­la je po­hyb elek­tró­nov vnút­ri ne­vo­di­vej pas­ce viac sťa­že­ný, a pre­to je stra­ta hod­no­ty v dôs­led­ku úni­ku či pá­ro­va­nia ove­ľa me­nej prav­de­po­dob­ná.

Ná­bo­jo­vá pas­ca je zá­ro­veň roz­me­ro­vo men­šia ako plá­va­jú­ce hrad­lo a umož­ňu­je o nie­koľ­ko de­sia­tok per­cent rých­lej­šie čí­ta­nie, zá­pis aj zma­za­nie, pri­čom tran­zis­to­ry ma­jú pri jej pou­ži­tí vy­ššiu ži­vot­nosť. Keď je však ta­ká dob­rá op­ro­ti plá­va­jú­ce­mu hrad­lu, pre­čo sa ne­pou­ží­va už dáv­no? Po­dob­ne ako iné tech­no­ló­gie flash aj prin­cíp ná­bo­jo­vej pas­ce je už z ve­dec­ké­ho hľa­dis­ka zná­my de­sať­ro­čia. Uve­de­nie do sta­vu, keď mož­no ta­ké­to tran­zis­to­ry sé­rio­vo vy­rá­bať, je však úpl­ne iná zá­le­ži­tosť.

Pr­vé ko­mer­čné pro­duk­ty, kto­ré pou­ží­va­li tran­zis­to­ry s ná­bo­jo­vou pas­cou, sa po­da­ri­lo dos­tať na trh až v ro­ku 2002 (iš­lo o spo­loč­ný pro­jekt AMD a Fu­jit­su, kto­rý dnes fun­gu­je ako sa­mos­tat­ná spo­loč­nosť Span­sion). V nas­le­du­jú­cich ro­koch sa po­da­ri­lo tej­to me­tó­de zís­kať 30 % tr­hu NOR flash (pou­ží­va­né nap­rík­lad v či­poch na ulo­že­nie fir­mvé­ru či BIOS-u), ale v prí­pa­de vý­kon­né­ho a ka­pa­cit­ne väč­šie­ho NAND flash sa ná­bo­jo­vé pas­ce nep­re­sa­di­li. Hlav­ný dô­vod bol ten, že ich vý­vo­jo­vý cyk­lus je op­ro­ti plá­va­jú­cim hrad­lám nie­koľ­ko ro­kov po­za­du.

Ak do­ká­že­te vy­rá­bať tran­zis­to­ry s ná­bo­jo­vý­mi pas­ca­mi iba na 40nm pro­ce­se, za­tiaľ čo tran­zis­to­ry s plá­va­jú­ci­mi hrad­la­mi už na 20 nm, ich pou­ži­tie je skrát­ka ne­vý­hod­né (v ča­se, keď pok­ro­čia o ge­ne­rá­ciu ďa­lej, rov­na­ký skok uro­bia aj plá­va­jú­ce hrad­lá). V rám­ci ver­ti­kál­nych NAND je však vy­tvo­re­nie plá­va­jú­cich hra­diel extrém­ne kom­pli­ko­va­né, čo je prá­ve príl­eži­tosť pre ná­bo­jo­vú pas­cu. Pr­vé V-NAND, kto­ré Sam­sung uvie­dol na trh v pod­ni­ko­vej sfé­re, sú vy­ro­be­né 40 nm vý­rob­ným pro­ce­som. Vzhľa­dom na ver­ti­kál­ne pos­ta­ve­nie tran­zis­to­rov však do­sa­hu­je čip hus­to­tu, ako má naj­nov­ší 16 nm ho­ri­zon­tál­ny pro­ces pla­nár­nych NAND, pri­čom zá­slu­hou ná­bo­jo­vých pas­cí do­sa­hu­je vy­šší vý­kon. To všet­ko na­priek to­mu, že V-NAND za­tiaľ pou­ží­va stĺpce zlo­že­né len z 24 tran­zis­to­rov. Prav­dou však je, že vý­ro­ba V-NAND je za­tiaľ fi­nan­čne ná­roč­nej­šia, a pre­to sme­ro­va­la do pod­ni­ko­vej sfé­ry, kde sa dis­ky pre­dá­va­jú za vy­ššie ce­ny.

Hro­mad­ný prí­chod ver­ti­kál­nych NAND na trh

Ke­dy te­da dis­ky SSD s ver­ti­kál­ny­mi NAND prí­du na bež­ný trh? Sam­sung, ako je­di­ný vý­rob­ca, kto­rý dnes už ver­ti­kál­ne NAND flash pro­du­ku­je v sé­rio­vej vý­ro­be, na 3D NAND pre­chá­dza prak­tic­ky okam­ži­te. Dis­ky SSD pre bež­ných pou­ží­va­te­ľov sa ob­ja­via zrej­me v prie­be­hu ro­ka. SK Hy­nix, kto­rý roz­be­hol vý­ro­bu 16 nm pla­nár­nych NAND flash na rok 2014, po­čí­ta s ver­ti­kál­ny­mi NAND pri nas­le­du­jú­cej ge­ne­rá­cii. Tes­to­va­cie vzor­ky má pri­tom za se­bou a pr­vé dis­ky s ver­ti­kál­ny­mi NAND od toh­to vý­rob­cu sa ob­ja­via na kon­ci toh­to ale­bo v prie­be­hu bu­dú­ce­ho ro­ka.

Po­dob­ne zrej­me do­pad­ne aj kon­zor­cium In­tel/Mic­ron, kto­ré má 16 nm pla­nár­ny pro­ces vy­vi­nu­tý. Či­py s tým­to naj­pok­ro­či­lej­ším ho­ri­zon­tál­nym pro­ce­som sa ob­ja­via v dis­koch ten­to rok. Ver­ti­kál­ne NAND mô­že­me oča­ká­vať v bu­dú­com ro­ku ako nas­le­du­jú­cu ge­ne­rá­ciu. Len čo bu­dú na tr­hu či­py V-NAND Sam­sun­gu, SK Hy­nix a In­tel/Mic­ron, mô­že­me ča­kať aj dis­ky SSD od spo­loč­nos­tí, kto­ré či­py od tých­to vý­rob­cov ku­pu­jú (napr. Kin­gston, A-DA­TA, Cor­sair). Tro­chu iné plá­ny má kon­zor­cium San­Disk/Tos­hi­ba, kto­ré plá­nu­je v tom­to ro­ku 16 nm pro­ces a v nas­le­du­jú­com ro­ku prav­de­po­dob­ne 14/12 nm pro­ces pla­nár­nych NAND.

Aj na­priek to­mu, že Tos­hi­ba pred­sta­vi­la fun­kčné skú­šob­né ver­ti­kál­ne tran­zis­to­ry v ro­ku 2007 ako pr­vá, s ich ná­be­hom po­čí­ta až v ro­ku 2016. Sa­moz­rej­me, rov­na­ko do­pad­nú aj tí vý­rob­co­via dis­kov, kto­rí od tých­to spo­loč­nos­tí či­py NAND ku­pu­jú (dnes hlav­ne OCZ). Uvi­dí­me, kto­rý plán pre­cho­du (rých­ly Sam­sun­gu, po­ma­lý Tos­hi­by a San­Dis­ku ale­bo stred­ne rých­ly os­tat­ných fi­riem) bu­de na­ko­niec z eko­no­mic­ké­ho hľa­dis­ka ten správ­ny. Ana­ly­tic­ké spo­loč­nos­ti pred­pok­la­da­jú, že v ro­ku 2014 bu­dú ver­ti­kál­ne NAND tvo­riť 5 % vý­ro­by, za­tiaľ čo v ro­ku 2015 už oko­lo 30 %. V ro­ku 2016, keď ich za­čnú pro­du­ko­vať Tos­hi­ba a San­Disk, by ma­li tvo­riť po­lo­vi­cu či­pov na tr­hu, aby na­po­kon v ro­ku 2017 za­ča­li do­mi­no­vať ce­lej vý­ro­be (oko­lo 70 %).

Zdroj: PCR 5/2014


« prvá strana « predchádzajúca strana ďalšia strana » posledná strana »  


Ohodnoťte článok:
   
 

24 hodín

týždeň

mesiac

Najnovšie články

Re­cen­zia: So­ny XPE­RIA M4 Aqua
Lákadlom nového modelu predstaveného na MWC je nielen jeho deklarovaná odolnosť proti vode a prachu, ale aj atraktívny, elegantný prémiový dizajn, interne nazývaný OmniBalance, ktorý sa Sony osvedčil vo vlajkovom modeli Xperia Z3. čítať »
 
Re­cen­zia: In­tel Com­pu­te Stick - po­čí­tač do vrec­ka
Kompletný počítač v puzdre o niečo väčšom ako bežný kľúč USB od Intelu je jeden z prvých predstaviteľov novej kategórie výpočtových zariadení. čítať »
 
PC RE­VUE vi­deo: Sam­sung Gear VR In­no­va­tor Edi­tion
Otestovali sme okuliare pre virtuálnu realitu využívajúce telefóny Samsung Galaxy S6 a S6 edge. čítať »
 
PowerI­SO
Dlho sme hľadali univerzálny nástroj, ktorý by zvládol všetky operácie s obrazmi CD, DVD alebo Blu-ray. čítať »
 
Aomei Par­ti­tion As­sis­tant Pro
Každý IT nadšenec iste už raz prišiel do styku s partíciami na diskoch a potrebou ich úpravy či opravy. čítať »
 
Vi­deo: Prih­lá­se­nie do inter­net ban­kin­gu od­tlač­kom prs­ta
UniCredit Bank pre svojich klientov pripravil zaujímavé novinky v mobilnom bankovníctve. Vďaka využitiu najnovších funkcií inteligentných telefónov sa do mobilných aplikácií Smart Banking a Smart kľúč môžu prihlásiť jednoduchým zosnímaním odtlačku prsta. čítať »
 
Re­cen­zia: Har­man/Kar­don OM­NI
Zvukový systém OMNI je na prvý pohľad ďalší z radu reproduktorov, ktoré majú bezdrôtový prenos a možnosť párovania medzi sebou. čítať »
 
Re­cen­zia: GoP­ro He­ro 4
Spoločnosť GoPro prišla koncom minulého roka s ďalšou generáciou obľúbeného modelu športovej kamery s označením Hero 4. čítať »
 
 
 
  Zdieľaj cez Facebook Zdieľaj cez Google+ Zdieľaj cez Twitter Zdieľaj cez LinkedIn Správy z RSS Správy na smartfóne Správy cez newsletter